一種制造重摻雜氮化鎵場效應(yīng)晶體管的方法
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公開(公告)號
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CN1901144A
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公開(公告)日
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2007.01.24
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申請(專利)號
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CN200610086059.2
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申請日期
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2006.07.21
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專利名稱
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一種制造重摻雜氮化鎵場效應(yīng)晶體管的方法
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主分類號
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H01L21/335(2006.01)I
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分類號
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H01L21/335(2006.01)I
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分案原申請?zhí)? |
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優(yōu)先權(quán)
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申請(專利權(quán))人
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中國電子科技集團公司第五十五研究所
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發(fā)明(設(shè)計)人
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薛舫時
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地址
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210016江蘇省南京市中山東路524號
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頒證日
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國際申請
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進入國家日期
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專利代理機構(gòu)
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南京天華專利代理有限責任公司
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代理人
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徐冬濤;瞿網(wǎng)蘭
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國省代碼
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江蘇;32
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主權(quán)項
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一種制造重摻雜氮化鎵場效應(yīng)晶體管的方法，其特征是它包括以下步驟： 首先在襯底(9)上生長成核層(10)、緩沖層(11)和溝道層(12)；然后生長AlN隔離層(13)和重摻雜AlGaN勢壘層(14)，控制摻雜層(14)的厚度和摻雜濃度使之達到1013/cm2量級的高濃度摻雜，以增大外溝道中的電子氣密度，提高漏電流，使外溝道在射頻工作周期內(nèi)不被夾斷，同時利用高密度外溝道電子氣來平抑溝道中的電場峰，阻止高能熱電子隧穿到虛柵表面，抑制電流崩塌；最后在生長不摻雜帽層(15)后經(jīng)臺面隔離、歐姆接觸制作后光刻柵電極窗口，并用CF4進行氟等離子體處理，控制等離子體發(fā)射功率在100-150W之間，處理時間在120-180s之間，以實現(xiàn)將夾斷電壓調(diào)節(jié)到設(shè)定范圍的目的，再在所開窗口的勢壘層上自對準淀積柵金屬，制作肖特基勢壘并在N2氣氛中進行退火以消除等離子體處理產(chǎn)生的缺陷即得本發(fā)明的重摻雜場效應(yīng)晶體管。
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摘要
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本發(fā)明針對現(xiàn)有的氮化鎵場效應(yīng)管由于摻雜量無法提高而致使其性能不能得到改善的問題，發(fā)明一種既能對氮化鎵場效應(yīng)管進行重摻雜，又不會因重摻雜而引起常見的電流崩塌現(xiàn)象，從而能顯著增大輸出功率的制造重摻雜氮化鎵場效應(yīng)晶體管的方法，它包括首先在襯底9上生長成核層10、緩沖層11和溝道層12；然后生長AlN隔離層13和重摻雜AlGaN勢壘層14，最后在生長不摻雜帽層15后經(jīng)臺面隔離、歐姆接觸制作后光刻柵電極窗口，并用CF4進行氟等離子體處理，控制等離子體發(fā)射功率和處理時間，以實現(xiàn)將夾斷電壓調(diào)節(jié)到設(shè)定范圍的目的，再在所開窗口的勢壘層上自對準淀積柵金屬，制作肖特基勢壘并在N2氣氛中進行退火以消除等離子體處理產(chǎn)生的缺陷即得本發(fā)明的重摻雜場效應(yīng)晶體管。有利于增大器件的功率。
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國際公布
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